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对Ga N微波器件的转移特性开展了脉冲测试研究。通过改变脉冲通道的数量、静态工作点和脉冲宽度,获得了不同的脉冲测试条件下Ga N晶体管的转移特性,并对不同测试条件下的测试结果进行了对比分析,获得了不同的脉冲测试条件对器件转移特性的影响。得到了Ga N晶体管的转移特性对栅极脉冲比较敏感,漏极脉冲只是在栅极电压作用下起辅助作用,其对转移特性的影响程度主要依据栅极电压的影响而定的结论。