【摘 要】
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本文的第Ⅰ部分发表在《Solid State Technology》杂志 1984, No.6上。在这第Ⅱ部分中,作者着重于电路设计考虑。单晶硅或绝缘衬底上的单沟MOS和CMOS是讨论的主要目标。毫无
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本文的第Ⅰ部分发表在《Solid State Technology》杂志 1984, No.6上。在这第Ⅱ部分中,作者着重于电路设计考虑。单晶硅或绝缘衬底上的单沟MOS和CMOS是讨论的主要目标。毫无疑问,CMOS工艺是电路设计的众多形式中的最佳形式。进一步的改进将利用绝缘体上硅CMOS来完成,并且,可以断定,在VLSI时代,这种技术将处于重要地位。
Part I of this article is published in Solid State Technology, 1984, No. 6. In this Part II, the author focuses on circuit design considerations. Single trench MOS and CMOS on a single-crystal or insulating substrate are the main objectives of the discussion. There is no doubt that CMOS technology is the best form of many forms of circuit design. Further improvements will be made using silicon-on-insulator (CMOS) silicon, and it can be concluded that this technology will be in the limelight in the VLSI era.
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