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基于自由电子近似和Winful的隧穿时间模型,研究了普通金属/自旋过滤层/非磁绝缘层/自旋过滤层/普通金属（NM/SF/I/SF/NM）双自旋过滤隧道结中自旋相关的居留时间（dwell time）和相位时间（phase time）.分别以居留时间和相位时间随入射电子能量、势垒高度和势垒宽度、以及分子场大小的变化情况做了讨论.计算结果表明：在低能隧穿区域（入射电子的能量小于势垒高度）,由于自旋相关的自相干项的影响,不同自旋方向电子的相位时间总是大于居留时间;在高能隧穿区域（入射电子的能量大于势垒高度）,自旋