聚酰亚胺缓冲层改善氧化铟锡导电阳极在聚乙烯基对苯二酸酯柔性基片上附着力的研究

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在柔性有机电致发光器件中通常使用的柔性聚乙烯基对苯二酸酯(PET)基片上, 制备了一层聚酰亚胺(PI)缓冲层以改善氧化铟锡(ITO)阳极在基片上的附着力. 经过划痕法的测试, 柔性导电基片的临界载荷值大大提高, 基片抗弯折的能力也有很大的改善. 与使用普通 PET 基片制备的有机电致发光器件相比, 使用复合基片制备的器件的电流密度和发光亮度均提高了 4 倍左右. A polyimide (PI) buffer layer was prepared on a flexible polyethylene terephthalate (PET) substrate commonly used in flexible organic electroluminescent devices to improve the performance of indium tin oxide (ITO) After the scratch test, the critical load value of the flexible conductive substrate is greatly improved, and the ability of the substrate to resist bending is also greatly improved. Compared with the organic electroluminescent device prepared by using ordinary PET substrate The current density and luminescence intensity of the device prepared by using the composite substrate were all increased about 4 times.
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