HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（上）

来源 :红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangzhouzhoudaojun

【摘要】

：

介绍了HgCdTeMIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。

【作者】

：

何波史衍丽徐静

【机构】

：

昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明物理研究所,济南大学材料学院

【出处】

：

红外

【发表日期】

：

2006年12期

【关键词】

：

HGCDTE MIS器件表面钝化界面电学特性 HgCdTe MIS device surface passivation interface electri

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