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本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× 1 0 - 2 0 cm2 。利用光激发截面的数值可得出施主浓度ND=3 2× 1 0 1 9cm- 3。