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利用聚集离子束（FIB）对小线度下（≤3μm）的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验，研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现，铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系；束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用．刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀，硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析，发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角，而坑底倾斜问题需综合考虑