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介绍了几种常见的N型埋藏层（NBL）静电放电（ESD）器件，阐述了NBL对ESD的影响，提出了新结构的NBL器件（Under-source NBL）。比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点，对比了它和传统器件的ESD测试数据；结果表明，Under-source NBL器件在横向扩散MOS（LDMOS）ESD保护电路中有着非常好的效果，可以在功能相当的情况下，大大节省器件的面积。