In：Ga2O3氧化物半导体晶体的生长与性能研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：moowoo

【摘要】

：

β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料，本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能，离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出郑mmx50m

【作者】

：

唐慧丽吴庆辉罗平王庆国徐军

【机构】

：

同济大学物理科学与工程学院,上海蓝宝石晶体工程技术研究中心（筹）,中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2017年6期

【关键词】

：

In:Ga2O3晶体浮区法电导率 In：Ga203 single crystal optical floating zone method electric

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β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料，本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能，离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出郑mmx50mm蓝色透明In：Ga203晶体，晶体具有较高的结晶完整性。In^3＋离子掺杂后，D．Ga203晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收，热导率稍有减小。室温下，In：Ga203晶体的电导率和载流子浓度分别为4．94x104S／cm和1．005×10Mcm^-3，其值高于p．Ga203晶体约1个数量级。In：Ga203晶体电学

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