【摘 要】
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光刻是一种利用曝光、显影和刻蚀等工艺将光掩模上的图形转移到衬底材料上的工艺,是半导体器件制造工艺中的重要步骤。其中,在光刻胶层刻画图形时,主要涉及材料为光刻胶、显影液。在G线(436 nm)、I线(365 nm)光刻工艺中,光刻胶主要是酚醛树脂-重氮萘醌体系,显影液一般采用2.38 wt%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液;在193 nm、极紫外(EUV)光刻工艺中,光刻胶主要为含有酯基的聚合物-光致产酸剂(PAG)体系,此外由于接触的界面张力以及膨润问题,显影液中需要加入非离子表面活性剂。本文主要介绍几
【基金项目】
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浙江省科技计划项目(2019C01087)。
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光刻是一种利用曝光、显影和刻蚀等工艺将光掩模上的图形转移到衬底材料上的工艺,是半导体器件制造工艺中的重要步骤。其中,在光刻胶层刻画图形时,主要涉及材料为光刻胶、显影液。在G线(436 nm)、I线(365 nm)光刻工艺中,光刻胶主要是酚醛树脂-重氮萘醌体系,显影液一般采用2.38 wt%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液;在193 nm、极紫外(EUV)光刻工艺中,光刻胶主要为含有酯基的聚合物-光致产酸剂(PAG)体系,此外由于接触的界面张力以及膨润问题,显影液中需要加入非离子表面活性剂。本文主要介绍几
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