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研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/A1 Ga1-xAs结构腐蚀的选择特性,用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌.利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺.