基于密度泛函理论，采用赝势平面波方法研究了α－BeH2的结构、电子和光学性质．基态下，α－BeH2晶格常数a和体积弹性模量B0计算值与实验值及其它理论值一致．根据能带理论研究了α－BeH2基态下的能带结构、总态密度（DOS）和分波态密度（PDOS）．经过分析发现α－BeH2为直接能隙半导体材料，能隙为5．44 eV，与文献相比，本文计算的结果偏低，这主要是利用第一性原理中的局域密度近似（ LAD）或广义梯度近似（ GGA）交换关联能函数计算材料的带隙宽度或者磁耦合的理论结果均会偏低．通过对基态α－BeH2的Mulliken电荷分布和集居数的分析发现：α－BeH2属于离子键和共价键所形成的混合键化合物；α－BeH2的电荷总数分别来源于H 1s轨道，Be 2s和2p轨道．同时本文还分析研究了α－BeH2的光学介电函数、吸收系数、复折射率、反射系数和能量损失等光学性质．