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提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,结果表明:在插入损耗相当的情况下,反射式器件具有更高的调制对比度.
超薄有源层谐振腔增强型调制器
【摘 要】
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提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2004年10期
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