【摘 要】
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本文从原理上分析了GaAs-I~2L电路相对于Si-I~2L电路的改进潜力,指出了PNP电流源管的基本难点在于过短的空穴扩散长度,从而相应提出了衬底馈电逻辑SFL(Substrate fed logic)G
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本文从原理上分析了GaAs-I~2L电路相对于Si-I~2L电路的改进潜力,指出了PNP电流源管的基本难点在于过短的空穴扩散长度,从而相应提出了衬底馈电逻辑SFL(Substrate fed logic)GaAs电路的概念,本文比较详细地介绍了PNP-GaAs晶体管的制作工艺,并给出了相应的实验结果,初步的数据为电流增益h_(fe)=40,发射极-收集极击穿电压BV_(ceo)=2～3V,本文同时也给出了NPM和NPN-GaAs晶体管的开关特性。
In this paper, the potential of GaAs-I ~ 2L circuits for Si-I ~ 2L circuits is analyzed theoretically. It is pointed out that the basic difficulty of PNP current-source tubes lies in the too short hole diffusion length, Logic SFL (Substrate fed logic) GaAs circuit concept, this article describes in more detail PNP-GaAs transistor fabrication process, and gives the corresponding experimental results, the initial data for the current gain h_ (fe) = 40, the emitter - collector breakdown voltage BV_ (ceo) = 2 ~ 3V, this article also gives the NPM and NPN-GaAs transistor switching characteristics.
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