【摘 要】
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研制了石英质射频激励等离子体活性氮源，将此氮源安装到国产ＦＷ－Ⅲ型分子束外延设备上，地生长了ｐ型ＺｎＳｅ：Ｎ优质单晶薄膜。ＳＩＭＳ测量表明，薄膜中氮浓度高达～１．５×１０＾２０ｃｍ＾－３；ＰＬ测量表明，氮在ＺｎＳｅ中形成了受主能级；Ｃ－Ｖ测量
【机 构】
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上海交通大学应用物理系,中国科学院上海技术物理研究所
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研制了石英质射频激励等离子体活性氮源，将此氮源安装到国产ＦＷ－Ⅲ型分子束外延设备上，地生长了ｐ型ＺｎＳｅ：Ｎ优质单晶薄膜。ＳＩＭＳ测量表明，薄膜中氮浓度高达～１．５×１０＾２０ｃｍ＾－３；ＰＬ测量表明，氮在ＺｎＳｅ中形成了受主能级；Ｃ－Ｖ测量表明，净空穴浓度「Ｎα」－「Ｎｄ」≈５×１０＾１７ｃｍ＾－３，达到了制备原理性蓝图绿色激光二极管的要求（～４．０×１０＾１７ｃｍ＾－３）。Ｃ－Ｖ测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证。
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