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在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜, 采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系, 并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况. 所镀制的ITO膜电阻率已降到＜2×10-4 Ω*cm, 可见光透过率达80%以上.
淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响
【摘 要】
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在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜, 采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系, 并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的
【机 构】
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河南教育学院化学系,郑州大学材料工程学院
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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2003年4期
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