【摘 要】
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采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO2薄膜进行了纳米图案化研究。用CF4、Ar和O2等离子体,对HfO2薄膜进行了反
【机 构】
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北京印刷学院等离子体物理与材料实验室
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采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO2薄膜进行了纳米图案化研究。用CF4、Ar和O2等离子体,对HfO2薄膜进行了反应离子束刻蚀,以移除HfO2。采用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能量色散X射线光谱显微(EDX)分析,对样品刻蚀前后的形貌、结构和化学成分进行了表征。实验表明,HfO2的刻蚀具有定向性,利于高深宽比微机械结构的加工。在其他参数固定的情况下,深宽比高达10∶1的结构中HfO2的刻蚀速率是微波
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