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通过分析CMOS差分负阻振荡器的工作原理，得到电路结构和参数的优化方案。基于0．18肿工艺，采用片上电感和可变电容，设计了一种基于开关调谐电容结构的宽可调范围的分段线性互补型交叉耦合CMOS集成压控振荡器。在提高振荡器的可调范围的同时，降低相位噪声。电路采用HSPICE进行仿真，在1．8V电源电压下，振荡频率的变化范围为1．55GHz～2．86GHz，可调范围约为60％。功耗为5mW～10mW，相位噪声在10MHz频率偏移处为-110dB／Hz。