采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻

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本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸
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