RIE技术制备p—n结型GaN蓝光LEDs

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuanyu_518
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自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究.由于GaN材料不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,因此其器件的加工工艺,如欧姆或肖特基接触的形成、...
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2011年12月22日,是德力西电气售后服务人员最忙碌、最紧张、又最兴奋的一天。这一天也是全国商品售后服务达标认证评审委员会、北京五洲天宇认证中心的专家对德力西电气售后
介绍电力行业Profibus现场总线使用中存在的一些问题,以及故障排除和诊断的相关内容。
对Os(Ⅱ)配合物的光致发光过程进行了实验研究,发现将其复合于PVCz基质中时,相对于纯配合物情形,发光强度增强,荧光寿命增长,在PVCZ存在的条件下,由于激发能从PVCXZ到配合MLCT态的能量转移,使得MLCT态的发光强
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报导了ZnS:Cu水溶液和ZnS:Cu/PVA复合膜的制备过程,分析分散剂所起的作用,研究了室温下复合膜的激光发谱和发射光谱,以及室温和液氮温度下的分时光谱,初步探讨了ZnS:Cu纳米超微粒的发光过程。
本文用MOCVD技术在GaAS衬底上成功地制备了具有波导结构的Zn0.8Cd0.2Se-ZnSe应变层超晶格样品,在77K温度的发致发光光光谱中观测n=1的重空穴和轻空穴激子的辐射复合。
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