基于SOI衬底的射频电感优化设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liyan19821021

【摘要】

：

比较了SOIRF电感与体硅电感的性能，并根据模拟结果分析了电感中空面积，电感形状结构，金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响，最后提出了一种基于SOI衬底R

【作者】

：

赵冬燕张国艳黄如

【机构】

：

北京大学微电子学研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

SOI衬底电感量品质因数自谐振频率 SOI-substrate inductance quality factor self-resonant-frequ

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比较了SOIRF电感与体硅电感的性能，并根据模拟结果分析了电感中空面积，电感形状结构，金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响，最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则,以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值，而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较．

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