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对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想，分析了对其产生影响的一些相关因素，如特征电阻和击穿电压之间的平衡，寄生电容的设计考虑，以及在满足上述条件下的面积优化．最后对20V／10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算．
低压UDMOSFET结构设计
【摘 要】
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对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想，分析了对其产生影响的一些相关因素，如特征电阻和击穿电压之间的平衡，寄生电容的设计考虑，以及在满足上述条件下的
【机 构】
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辽宁大学物理系
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2007年2期
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