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比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考.仿真结果表明,组合C8具有最大的SNM,高阈值晶体管Mnl可以有效抑制漏电流.最后,分析了不同组合下的读写延迟时间,并给出了延迟差异的原因.
45nm工艺下8管双阈值SRAM单元的研究
【摘 要】
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比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考.仿真结果表明,组合C8具有最大的S
【机 构】
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北京工业大学集成电路与系统研究室,北京,100124
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2012年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金;北京工业大学博士启动基金资助项目
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