GaAs量子阱红外探测器的光学性质

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GaAs量子阱红外探测器的光学性质程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华1989年,美国贝尔实验室首次用MBE制出8-12μm宽带GaAs量子阱红外探测器 ̄[1],这种器件较HgCdTe探测器有许多优点,因而引起人们极大的兴趣和关注。我们采用... Optical Properties of GaAs Quantum Well Infrared Detectors Cheng Xingkui, Huang Baobiao, Xu Xianang, Liu Shiwen, Ren Hongwen, Jiang Minhua In 1989, for the first time, Bell Labs in the United States used MBE to fabricate an 8-12μm wideband GaAs quantum well infrared detector [1] The device has many advantages over the HgCdTe detector, which has aroused great interest and attention. We use...
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