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采用正交试验法对ＰＣＶＤ等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在４０％ＳｉｎＨ２ｎ＋２＋６０％Ａｒ（质量分数）渗硅源中，电工钢于４８０℃ＰＣＶＤ处理４０ｍｉｎ，其表面可形成厚２０μｍ富硅层，再经１１００℃扩散１ｈ，电工钢铁损下降４９．５％Ｂ２５００提高６５％，电磁性能得到极大的改善。
高硅钢的PCVD制造工艺及其电磁性能
【摘 要】
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采用正交试验法对ＰＣＶＤ等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在４０％ＳｉｎＨ２ｎ＋２＋６０％Ａｒ（质量分数）渗硅源中，电工钢于４８０℃ＰＣＶＤ处理４０ｍｉｎ，其表面可形成厚２０μｍ富硅层，再经１１００℃扩散１ｈ，电工钢铁损下降４９．５％Ｂ２５００提高６５％，电磁性能得到极大
【机 构】
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武汉冶金科技大学
【出 处】
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钢铁研究学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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湖北省自然科学基金
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