【摘 要】
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针对高功率T/R组件的小型化问题,提出了一种X波段氮化镓（Ga N）小型化T/R组件的设计与实现方法。在小型化尺寸内实现了4个收发通道,内部包含了318个元器件。对组件复杂功能及由
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针对高功率T/R组件的小型化问题,提出了一种X波段氮化镓（Ga N）小型化T/R组件的设计与实现方法。在小型化尺寸内实现了4个收发通道,内部包含了318个元器件。对组件复杂功能及由此带来的工艺装配问题和热问题进行了阐述与分析。研制出了采用多功能芯片技术、多层复合基板技术和多芯片组装（MCM）技术的组件,内部高度集成,实现了小型化。测试结果表明,组件尺寸为65 mm×60 mm×8.5 mm,发射输出功率≥30 W,实现了小型化和良好的电气性能。
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