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本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（通常也称ＥＡＣＶＤ．即电子辅助化学气相沉积）方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构，并讨论其对成膜的影响．
金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布
【摘 要】
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本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（通常也称ＥＡＣＶＤ．即电子辅助化学气相沉积）方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离
【机 构】
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中国科学技术大学近代物理系
【出 处】
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核聚变与等离子体物理
【发表日期】
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1996年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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