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通过采用常温、简单、成本低且与产线完全兼容的金属辅助化学刻蚀方法（MACE）,在太阳电池正面制备硅纳米线、硅纳微米复合结构以及硅倒金字塔等结构,并且采用不同的钝化方式对太阳电池正面和背面实施钝化,以期提高器件的光学和电学性能.结果表明,在原子层沉积（ALD）的氧化铝对单晶硅纳微米结构上,同时实现了最低的光学减反（1.38%）和最低的表面复合速率（44.72cm/s）,基于该结构的n型太阳电池最高转换效率达到21.04%.同时,制备出了光电转换效率为20.0%,PECVD-SiO2/SiNx叠层钝化的标准太