【摘 要】
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在95 ℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列.纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长.XRD和XPS结果证实了Mn
【机 构】
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吉林大学原子与分子物理研究所超硬材料国家重点实验室
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在95 ℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列.纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长.XRD和XPS结果证实了Mn以替位方式掺杂到纳米棒中,并且掺杂浓度与反应物中的Mn离子浓度似呈正比关系.所制备的ZnO:Mn纳米棒在室温均有铁磁性,其饱和磁化强度随反应物中Mn离子浓度的提高,饱和磁化强度呈现出先增大,5at.%时达到最大值,0.11 emu/g,然后减小.铁磁性来源于取代Zn离子的Mn离子之间的铁磁交换相互作用.
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