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本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm^-1附近红外反射峰的漂移情况，分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。
红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的Sio2特性
【摘 要】
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本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm^-1附近红外反射峰的漂移情况，分析了Si
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2004年3期
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