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我们利用光电流谱在１０－３００Ｋ温度范围内研究了ＧａＡｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ（３５°Ａ／３５°Ａ）短周期超晶格中的Ｗａｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ效应，实验发现ｏｈ激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于：Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化使界面的涨落对电子态的散射增加而使激子峰展宽。这种与电场有关的散射机制会使Ｌ．Ｅｓａｋｉ和Ｔｓｕ所预期的超晶格的负微分电阻效应减小。