【摘 要】
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用共沉淀正滴及反滴工艺,以普通共沉淀及超声辅助共沉淀的方式制备了不同YAG∶Ce^3＋前驱体,并通过焙烧前驱体粉末合成了YAG∶Ce^3＋荧光粉。利用XRD、SEM、激光粒度分布仪及荧光
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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用共沉淀正滴及反滴工艺,以普通共沉淀及超声辅助共沉淀的方式制备了不同YAG∶Ce^3＋前驱体,并通过焙烧前驱体粉末合成了YAG∶Ce^3＋荧光粉。利用XRD、SEM、激光粒度分布仪及荧光分光光度计对所制备样品进行了表征。结果表明,所得样品均为纯相钇铝石榴石结构,反滴工艺下制得的YAG∶Ce^3＋荧光粉的发光强度高于正滴工艺下的同类样品。且相对于普通共沉淀来说,无论正滴还是反滴工艺,通过超声共沉淀方式制得的荧光粉样品均具有更均匀的晶粒粒径、更窄的粒径分布及更高的发光强度。
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