事件相关电位(P3)与记忆功能关系初探

来源 :中国神经精神疾病杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cseivy
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目的 探讨事件相关电位(P3)与记忆功能可能存在的关系。方法 对60名正常人分别检测事件相关电位(P3)(潜伏期、波幅和临床记忆量表,采用Spearman相关性分析软件进行分析。结果 P3的潜伏期(FZ,CZ记录点)与记忆商呈显著性负相关,相关系数分别为-0.4040和-0.4135,P3的波幅与记忆商相关性无统计学差异。结论 事件相关电位的潜伏期可对记忆功能的评价起一定的作用。
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