【摘 要】
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采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复
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采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明：所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50nm；在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32nm,材料去除速率为16.4nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0
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