高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究

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【摘要】

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在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长

【作者】

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夏宗仁吴剑波郑威徐玉恒

【机构】

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CETC中电科技

【出处】

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功能材料

【发表日期】

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2004年z1期

【关键词】

：

LINBO3晶体抗光折变性能红外光谱

【基金项目】

：

国家973项目(G19990330),国家863项目(2001AA30304)

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在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试Mg:LiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO3晶体的倍频性能(相

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