【摘 要】
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采用直流磁控溅射法制备Ta/[（Fe89.6Co10.4）0.76 nm/Cu1.2 nm]25多层膜,X射线衍射试验结果表明,退火处理提高了薄膜的结晶度,退火温度达到550℃时,薄膜中发生Fe Co和Cu的相分离
【机 构】
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桂林电器科学研究院有限公司,桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西信息材料重点试验室,桂林市产品质量检验所
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采用直流磁控溅射法制备Ta/[（Fe89.6Co10.4）0.76 nm/Cu1.2 nm]25多层膜,X射线衍射试验结果表明,退火处理提高了薄膜的结晶度,退火温度达到550℃时,薄膜中发生Fe Co和Cu的相分离;AFM测试表明增加Ta缓冲层后可有效地降低薄膜的粗糙度;巨磁电阻（GMR）效应测量结果表明,随着退火温度的升高,样品的巨磁电阻效应呈现出先增大后减小的趋势,在350℃达到最大值-1.95%;薄膜的磁性饱和场随着退火温度的升高而变大,矫顽力亦增加,并在450℃时达到3.614×104A
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