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在衬底面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使闵值电流大幅度降低，提高光功率。
具有超晶格缓冲层的780nm量子阱半导体激光器
【摘 要】
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在衬底面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使闵值电流大幅度降低，提高光功率。
【机 构】
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山东工业大学
【出 处】
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电光系统
【发表日期】
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1997年1期
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