GaAs单片微波集成电路的制作工艺

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GaAs单片微波集成电路工艺属于分立GaAs MESFET工艺的进一步发展。描述了GaAs制作工艺,它为微波电路设计师提供了制作所有元件的能力,其中包括MESFET、电阻、电容、电感和完整的背面接地连接。以2~12GHz单片放大器为例说明了这些元件的集成。 GaAs monolithic microwave integrated circuit process is a discrete GaAs MESFET process further development. Describes the GaAs fabrication process, which gives microwave circuit designers the ability to make all the components, including MESFETs, resistors, capacitors, inductors, and complete backside ground connections. Taking 2 ~ 12GHz monolithic amplifier as an example to illustrate the integration of these components.
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