Dy掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

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用传统固相烧结法制备了Sr2Bi4-xDyxTi5O18(SBDT-x,x=0-0.20)陶瓷样品.x射线衍射分析表明,微量的Dy掺杂没有影响Sr2Bi4Ti5O18(SBTi)原有的层状钙钛矿结构.通过研究样品的介电特性,发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子,降低了样品铁电-顺电相转变的居里温度.铁电性能测量结果表明,随Dy含量的增加,SBDT-x系列样品的剩余极化先增大,后减小.当Dy掺杂量为O.01时,剩余极化达到最大值,约为20.1 μC·cm-2.掺杂引起剩余极化的变化,与材料中缺陷浓度、内应力以及晶格畸变程度等因素有关,是多种作用机理相互竞争的结果.(Bi2O2)2+层通常被看作是绝缘层和空间电荷库,对材料的铁电性能起关键作用.掺杂离子进入(Bi2O2)2+层会导致铁电性能变差.
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