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本文对全息光栅掩模制备中光刻胶薄膜的应力与厚度均匀性问题进行了研究。应用干涉法及Stoney公式计算的分析结果，对SiO2基底上光刻胶薄膜的应力进行了研究。对膜厚的均匀性采用干涉显微镜在同一样品，不同直径上多点测量的方法，初步得出光刻胶薄膜膜厚均匀性的分布规律。分组变换加速度，转速，匀胶时间等参数，并对结果进行比较，发现在匀胶转速相同的前提下，光刻胶薄膜应力值髓加速度的降低面减小．光刻胶薄膜的均匀性随加速度的增加而变好。在3000rpm至4000rpm的低转速时，光刻胶薄膜样品的膜厚均匀性好。出此，在全息