【摘 要】
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随着光刻技术向10nm及以下工艺节点延伸,光刻工艺对套刻精度提出了更高的要求,相应的对准精度要求已经达到亚纳米量级。本文提出一种基于自相干莫尔条纹的光刻机对准方法,其
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随着光刻技术向10nm及以下工艺节点延伸,光刻工艺对套刻精度提出了更高的要求,相应的对准精度要求已经达到亚纳米量级。本文提出一种基于自相干莫尔条纹的光刻机对准方法,其原理是利用对准系统的光学结构将位相型光栅对准标记同级次衍射光束进行分束和转像,在对准系统像面上形成两组周期不同的干涉条纹,这两组干涉条纹进一步干涉叠加形成自相干莫尔条纹,组成自相干莫尔条纹的两组干涉条纹随对准标记的移动而向相反方向移动,并将对准标记的位移量进行放大,从而提高对准标记位置测量的精度。通过对自相干莫尔条纹图像的傅里叶变换和提取相位,分析其相位信息得到对准标记位置。仿真结果表明,对准精度和对准重复精度分别可以达到0.07nm和0.11nm。
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