基于压控单元的单电子晶体管宏模型

来源 :吉首大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：wdongjiang

【摘要】

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在对纳米遂穿结（SETJ）及单电子晶体管（SET）的特性进行分析的基础上，笔者采用等效电路的方法，提出了基于压控单元的SET宏模型，仿真得到单电子晶体管的特性曲线．通过器件仿真的输出特性

【作者】

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周少华熊琦杨红官戴大康曾健平曾云

【机构】

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湖南工程职业技术学院,湖南大学物理与微电子科学学院

【出处】

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吉首大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2009年6期

【关键词】

：

等效电路宏模型纳米遂穿结单电子晶体管 equivalent circuit macro-model nanometer tunneling jun

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在对纳米遂穿结（SETJ）及单电子晶体管（SET）的特性进行分析的基础上，笔者采用等效电路的方法，提出了基于压控单元的SET宏模型，仿真得到单电子晶体管的特性曲线．通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比，得出曲线的走势与理想曲线基本一致，偏差不大．并且通过计算表明，数值的精度在合理范围内，验证了模型的合理性．

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