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,Fabrication and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes with am
【作 者】
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【机 构】
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Department of Physics,Wuhan University,Wuhan 430072,China “,”College of Sciences,Wuhan University of
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2012年6期
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