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3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是在解释射频电流崩塌时,既然射频输出功率低于直流伏安特性算出的预期功率,就必须证明外沟道的射频电阻大于直流电阻，因为外沟道势垒表面没有电极，所以内沟道夹断时外沟道电子只能靠陷阱俘获电子来耗尽。沟道电子从强电场中获取能量成为高能热电子，再跃迁到表面陷阱，是一个很复杂的过程，实验测量表明需要秒量