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采用了50～200 MHz 的高频超声反射法技术,检测出含于 Si_3N_4试样中小至40～5μm 的夹杂颗粒及金属丝状缺陷。结合 X 射线探测技术,还判断出缺陷所处的深度和水平方位。但藉受入射表面光洁度影响的缺陷渡强度以判断缺陷的性质尚属难题。实验尚表明,电流导通法是验证 NDE 技术检出缺陷可信度的有效旁证手段。