超声搅拌化学浴沉积法制备大颗粒和致密的CdS薄膜

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：GOG12

【摘要】

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采用超声搅拌化学浴法（UCBD）在SnO2：F 透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响,比较了沉积时间对UCBD-CdS

【作者】

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史成武陈柱史高杨孙人杰

【机构】

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合肥工业大学化学工程学院,中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室

【出处】

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物理化学学报

【发表日期】

：

2011年12期

【关键词】

：

CDS薄膜超声搅拌化学浴沉积沉积时间退火 CdCl2处理 CdS thin film Ultrasonic agitation Chemical b

【基金项目】

：

国家自然科学基金（51072043）,973 计划重大科学问题导向项目（2011CBA00700）,安徽省年度重点科研计划项目（2010AKND0794）,安徽省高校自然科学基金（KJ2010A266）及合肥工业大学学生创新基金（cxsy102084）资助项目

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采用超声搅拌化学浴法（UCBD）在SnO2：F 透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响,比较了沉积时间对UCBD-CdS薄膜中CdS聚集体颗粒大小和堆积致密性的影响.结果表明,CdCl2处理可使CdS聚集体中的小颗粒重新熔合在一起,但CdS聚集体的大小并没有改变.在UCBD-CdS薄膜的沉积过程中,CdS薄膜的横向和纵向生长速率之比会随着沉积时间的不同而改变,且沉积时间是获得大颗粒的CdS聚集体和致密的UCBD-CdS薄膜的

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