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文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子发射器件等研究结果.
半导体InAs量子点单光子发射器件
【摘 要】
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文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
【出 处】
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物理
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:10734060,90921015,60676054);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB921504,2007CB921904)资助项目
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