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本文介绍制备10μm以下硅膜的新技术——电8化学腐蚀自停止技术.并讨论光照、欧姆接触和pn结空间电荷区等因素对腐蚀特性的影响.
薄膜制备新技术
【摘 要】
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本文介绍制备10μm以下硅膜的新技术——电8化学腐蚀自停止技术.并讨论光照、欧姆接触和pn结空间电荷区等因素对腐蚀特性的影响.
【机 构】
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东南大学微电子中心南京
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1990年3期
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