【摘 要】
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忆阻器是一种新型的非线性动态可变电阻器,其阻值变化依赖于通过它的电荷量或磁通量.作为第四种基本电路元器件,忆阻器具有不同于电阻、电容和电感的独特性能,在非易失性存储
【机 构】
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西南大学电子信息工程学院; 香港城市大学机械与生物医学工程系;
【基金项目】
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新世纪优秀人才支持计划(教技函[2013]47号);国家自然科学基金(61372139,61101233,60972155);教育部“春晖计划”科研项目(z2011148);留学人员科技活动项目择优资助经费(国家级,优秀类,渝人社办〔2012〕186号);重庆市高等学校优秀人才支持计划(渝教人〔2011〕65号);重庆市高等学校青年骨干教师资助计划(渝教人〔2011〕65号);中央高校基本科研
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忆阻器是一种新型的非线性动态可变电阻器,其阻值变化依赖于通过它的电荷量或磁通量.作为第四种基本电路元器件,忆阻器具有不同于电阻、电容和电感的独特性能,在非易失性存储器、神经形态系统、非线性电路等众多领域中有巨大的应用潜能.基于惠普忆阻器模型,推导了一种带有窗函数的闭合形式的电荷控制忆阻器数学模型,该模型能够模拟忆阻器边缘附近的非线性离子迁移现象,同时能够保证忆阻器的边界条件,使忆阻器工作在正常的工况内,是一种更接近实际器件的忆阻器模型.进一步分情况对忆阻器的串并联电路进行理论推导.最后,基于忆阻器串并联电路的性质,将忆阻器与数字图像处理相结合,利用忆阻器实现图像处理所需的非线性映射函数.大量的计算机仿真验证了提出的方案在图像取反、对比度伸缩及图像灰度调整应用中的有效性.该方案的提出有望进一步推动数字图像处理的发展,促进数字图像处理硬件的实现.
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