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在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中，针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题，提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法，来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化，用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正，然后采用CHF3反应离子束刻蚀，实验和模拟均表明，Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌，使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比。对情形控制提供了有意义的实验手段。